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Narrow Gap Semiconductors
Proceedings of the 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors
725,45 €
+ 1450 points
Description
This volume forms a solid presentation in several important areas of NGS research, including materials, growth and characterization, fundamental physical phenomena, and devices and applications. It examines the novel material of InAs and its related alloys, heterostructures, and nanostructures as well as more traditional NGS materials such as InSb, PbTe, and HgCdTe. Several chapters cover carbon nanotubes and spintronics, along with spin-orbit coupling, nonparabolicity, and large g-factors. The book also deals with the physics and applications of low-energy phenomena at the infrared and terahertz ranges.
Spécifications
Parties prenantes
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 650
- Langue:
- Anglais
- Collection :
- Tome:
- n° 187
Caractéristiques
- EAN:
- 9780750310161
- Date de parution :
- 25-05-06
- Format:
- Livre relié
- Format numérique:
- Genaaid
- Dimensions :
- 156 mm x 234 mm
- Poids :
- 1061 g
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