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Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals
Bernard Pajot, Bernard Clerjaud
105,45 €
+ 210 points
Format
Description
This book outlines, with the help of several specific examples, the important role played by absorption spectroscopy in the investigation of deep-level centers introduced in semiconductors and insulators like diamond, silicon, germanium and gallium arsenide by high-energy irradiation, residual impurities, and defects produced during crystal growth. It also describes the crucial role played by vibrational spectroscopy to determine the atomic structure and symmetry of complexes associated with light impurities like hydrogen, carbon, nitrogen and oxygen, and as a tool for quantitative analysis of these elements in the materials.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 512
- Langue:
- Anglais
- Collection :
- Tome:
- n° 169
Caractéristiques
- EAN:
- 9783642180170
- Date de parution :
- 28-08-12
- Format:
- Livre relié
- Format numérique:
- Genaaid
- Dimensions :
- 160 mm x 234 mm
- Poids :
- 861 g
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