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Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN
Boltzmann transport equation (BTE), High field transport theory, Velocity Overshoot, Monte-carlo simulation
Arindam Biswas, Aniruddha Ghosal
Livre broché | Anglais
48,45 €
+ 96 points
Description
The book has been written with the intention to satisfy the needs of the researchers and students devoted to the study of electron transport properties in the material GaN. An up-to-date account of the theoretical research results as done by the authors has been incorporated in the book. It is the strong belief of the authors that the present book will be useful to all the electronic device physicists and engineers interested in the transport characteristics and applications of GaN and thus will pave the path for future research in this field.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 100
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9783659338502
- Date de parution :
- 09-02-13
- Format:
- Livre broché
- Dimensions :
- 150 mm x 220 mm
- Poids :
- 159 g
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