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Format
Description
Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS sensors demonstrates the compatibility of poly-SiGe with post-processing above the advanced CMOS technology nodes through the successful fabrication of an integrated poly-SiGe piezoresistive pressure sensor, directly fabricated above 0.13 m Cu-backend CMOS.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 199
- Langue:
- Anglais
- Collection :
- Tome:
- n° 44
Caractéristiques
- EAN:
- 9789400767980
- Date de parution :
- 30-07-13
- Format:
- Livre relié
- Format numérique:
- Genaaid
- Dimensions :
- 156 mm x 234 mm
- Poids :
- 480 g
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