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Hf-Based High-k Dielectrics
Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Young-Hee Kim, Jack C. Lee
50,45 €
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Description
In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) is investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, are studied under constant voltage stress. Dynamic stressing is also used. The combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 92
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9781598290042
- Date de parution :
- 30-06-05
- Format:
- Livre broché
- Dimensions :
- 187 mm x 235 mm
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